• 超快自旋极化电流调控多亚晶格亚铁磁体中的超快退磁过程

  编辑推荐：为解决超快自旋电子学中自旋极化热电子(SPHE)脉冲对多亚晶格Fe₇₄Gd₂₆退磁动力学的调控机制问题，德克斯哈·古普塔团队通过时间分辨X射线磁圆二色性(TR-XMCD)和原子自旋动力学模拟，首次定量揭示了SPHE脉冲的极化方向与Co磁化相反，并阐明了自旋转移力矩(STT)与热涨落的协同作用机制，为开发低能耗皮秒级自旋器件提供了关键理论依据。

  来源：Nature Communications

  时间：2025-04-01

• MoS2单层 flakes中边缘与体相自旋-电荷相互转换的调控：光驱动自旋电子器件的新突破

  编辑推荐：半导体过渡金属二硫化物（TMDs）的自旋-电荷转换机制尚不明确。研究人员通过YIG/MoS₂异质结构的光诱导自旋泵浦实验，首次揭示了MoS₂单层微米片中金属边缘态与半导体体相态的竞争机制，并利用密度泛函理论（DFT）证明光强可精确调控自旋电流注入。该研究为低能耗光控自旋电子器件开发提供了新思路。

  来源：Nature Communications

  时间：2025-03-31

• 突破二维金材料制备瓶颈：Ti4Au3C3合成与三层金烯的神奇诞生

  在二维材料研究中，实现大尺寸二维金属片制备颇具挑战。研究人员围绕二维金材料展开研究，合成了 Ti₄Au₃C₃并通过化学剥离得到三层金烯。该成果为研究二维金材料性质及应用提供了基础，意义重大。

  来源：SCIENCE ADVANCES 11.7

  时间：2025-03-29

• Fe3GeTe2/ 石墨烯异质结构中自旋相关轨道耦合诱导巨磁电阻：迈向高灵敏宽温磁传感器新征程

  为解决磁电阻（MR）传感器需高灵敏度、宽温运行的问题，研究人员开展 Fe₃GeTe₂（FGT）/ 石墨烯（Gr）异质结构的 MR 研究。结果显示，该异质结构室温下 9T 磁场中 MR 高达～9400%，且温敏性低。这为高灵敏、宽温 MR 传感器研发开辟新路径。

  来源：Nature Communications

  时间：2025-03-25

• 新型聚合物材料：突破自旋电子器件性能瓶颈的关键

  为解决传统自旋操控材料问题，研究人员合成含稳定自由基聚合物，提升自旋传输性能，推动自旋电子学发展。

  来源：SCIENCE ADVANCES 11.7

  时间：2025-03-22

• Gate 电压调控自旋轨道矩：解锁自旋电子器件新潜能

  为实现电场调控自旋轨道矩（SOT），研究人员在 Pt/Co/Pt 自旋轨道器件中利用离子门控技术，发现 SOT 可开关且调制比超 6 倍，为自旋电子器件发展提供新方向。

  来源：SCIENCE ADVANCES 11.7

  时间：2025-03-20

• 在PtTe/PtTe₂异质结构中实现巨大 Rashba 分裂：开启自旋电子学新征程

  为解决在原子级薄膜中引入大 Rashba 效应的难题，研究人员以双层<span data-custom-copy-text="\(PtTe₂\)"><span><span aria-hidden="true"><span><span style="height:0.7224em;vertical-align:-0.0391em;"></span><span style="margin-right:0.13889em;">PtT</span><span>e</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span><</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span></span><span><span style="height:0.7335em;vertical-align:-0.0391em;"></span><span>s</span><span>u</span><span>b</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span>></span><span style="margin-right:0.2778em;"></span></span><span><span style="height:0.6835em;vertical-align:-0.0391em;"></span><span>2</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span><</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span></span><span><span style="height:1em;vertical-align:-0.25em;"></span><span>/</span><span>s</span><span>u</span><span>b</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span>></span></span></span></span></span>薄膜为对象开展研究。通过热退火形成<span data-custom-copy-text="\(PtTe/PtTe₂\)"><span><span aria-hidden="true"><span><span style="height:1em;vertical-align:-0.25em;"></span><span style="margin-right:0.13889em;">PtT</span><span>e</span><span>/</span><span style="margin-right:0.13889em;">PtT</span><span>e</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span><</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span></span><span><span style="height:0.7335em;vertical-align:-0.0391em;"></span><span>s</span><span>u</span><span>b</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span>></span><span style="margin-right:0.2778em;"></span></span><span><span style="height:0.6835em;vertical-align:-0.0391em;"></span><span>2</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span><</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span></span><span><span style="height:1em;vertical-align:-0.25em;"></span><span>/</span><span>s</span><span>u</span><span>b</span><span style="margin-right:0.2778em;"></span><span>></span></span></span></span></span>异质结构，观测到巨大 Rashba 自旋分裂，这为自旋电子学应用开辟了新途径。

  来源：Nature Communications

  时间：2025-03-19

• 综述：厚度梯度 Co/Pt 多层膜中体自旋轨道扭矩的研究进展

  本文通过研究不同重金属（HM）盖帽层对垂直磁化 Co/Pt 多层膜的影响，揭示了体自旋轨道扭矩（BSOT）的来源及特性，为低功耗自旋电子器件应用提供依据。

  来源：Cell Reports Physical Science 7.9

  时间：2025-03-04

• 调整铟基金属卤化物的结构尺寸，逐步放大其圆偏振发光

  设计高效的圆偏振光光源需要在光致发光量子产率和发光不对称系数之间取得平衡。在这里，作者通过调节其结构尺寸来开发具有高效CPL特性的铟基手性金属卤化物。

  来源：Nature Communications

  时间：2025-02-11

• 非共线-反铁磁-铁磁异质结构中的电互开关

  自旋轨道转矩可以驱动铁磁体中的开关，因此可以用于磁位元的电写入。在这里，Yoon等人将这一基本思想进一步推进，展示了相互开关，其中铁磁体可以驱动反铁磁体中的开关，切换自旋轨道转矩本身的符号。

  来源：Nature Communications

  时间：2025-02-06

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