基底温度对InAs/石墨烯薄膜生长的影响

《physica status solidi (b)–– basic solid state physics》：Effect of Substrate Temperature on the Growth of InAs/Graphene Films

本研究探讨分子束外延（MBE）生长InAs/石墨烯薄膜时基底温度的影响。温度升高导致薄膜厚度增加，因原子扩散长度增大，覆盖面积扩大，抑制成核与岛状生长。粗糙度标度指数在330和360℃时稳定，但400℃显著偏离幂律行为；界面宽度随温度升高而扩展，横向关联长度基本不变。这些发现为优化InAs/石墨烯薄膜生长及器件应用提供了重要依据。

　　

摘要

本研究探讨了基底温度对通过分子束外延法生长的InAs/石墨烯薄膜生长过程的影响。基底温度的升高会导致薄膜沉积厚度增加，这归因于热适应性、粘附系数、吸附-脱附动力学以及表面动力学的变化。高温下吸附原子的扩散长度增加，使得在成核和岛屿形成之前能够覆盖更大的区域。虽然在330℃和360℃时粗糙度缩放指数保持一致，但在400℃时观察到了显著偏差，表明高度-高度相关函数的行为偏离了预期的幂律分布。此外，界面宽度随温度升高而扩大，而横向相关长度则相对稳定。这些发现为优化InAs在石墨烯上的薄膜生长提供了见解，强调了温度、生长机制和表面性质之间的复杂关系。理解这些动态过程对于在未来器件应用中充分利用InAs/石墨烯的独特性能至关重要。

利益冲突

作者声明没有利益冲突。