层间位错工程调控原子间距突破双层单原子催化剂OER/ORR活性极限

【字体: 时间:2025年09月03日 来源:Applied Surface Science 6.9

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  本文创新性地提出通过层间位错工程(Δx)精准调控双层单原子催化剂(BSACs)的金属间距(dM-M),打破氧析出/还原反应(OER/ORR)的线性标度关系(LSR)。研究发现强关联体系(Mn/Fe/Co等)通过d轨道能级移动增强中间体吸附,弱关联体系(Ni/Cu等)则通过范德华力扰动突破LSR限制,为下一代电催化剂设计提供了金属类别依赖性的全新调控范式。

  

Highlight

层间位错距离对原子间距与稳定性的定向调控

为探究层间位错对BSACs本征特性及OER/ORR活性的影响,我们构建了沿x方向位错的BSACs体系。这种层间堆叠调控方法基于成熟的实验技术:通过机械剥离、干法转移或化学气相沉积(CVD)等方法,可精确实现类似本研究中定义的位错参数(Δx)的层间平移控制。理论计算与实验表征均证实,这种定向位移能有效调节层间金属原子间距(dM-M),进而改变电荷转移路径与活性位点电子云分布。

结论

基于DFT计算,我们揭示了层间位错工程调控BSACs催化性能的机制。通过精确控制金属间距(dM-M)优化活性位点电子构型,该策略展现出元素依赖性:对于强关联体系(如Mn/Fe/Co),位错诱导的d轨道能级移动可强化中间体吸附;而对弱关联体系(如Ni/Cu),范德华力驱动的结构扰动能突破LSR限制。这项工作为二维电催化剂的理性设计提供了新范式。

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