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Na2S前驱体杂质对W掺杂Na3PS4合成的影响:实现钠固态电池26.4 mS cm?1超导硫代磷酸盐电解质
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年09月03日 来源:Advanced Energy Materials 26
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本文揭示了Na2S前驱体中SOx杂质对Na3PS4和Na3?xP1?xWxS4固态电解质合成的关键影响,通过氢化纯化技术实现W6+掺杂量x≈0.25,创纪录地获得室温26.4 mS cm?1钠离子电导率(σ(Na+)),为高能量密度钠固态电池开发提供材料基础。
钠固态电池作为锂离子电池的替代方案备受关注,其中硫化物型电解质如Na3PS4因高离子电导率成为研究热点。通过W6+取代P5+的异价掺杂可实现σ(Na+)>10 mS cm?1,但WS42?的晶格掺入难度和合成残留WS2制约其发展。本研究首次证实Na2S前驱体中SOx杂质对电解质合成的负面影响,通过氢化纯化实现x≈0.25的完全钨掺入,获得室温26.4 mS cm?1的突破性性能。
无机固态电解质是固态电池的核心组件,需满足σion>10 mS cm?1才能支撑厚电极复合物。尽管锂基电解质如Li10GeP2S12已实现32 mS cm?1的σ(Li+),但钠基体系最高仅达1 mS cm?1。W6+掺杂的Na3?xP1?xWxS4虽能突破10 mS cm?1,但前驱体纯度的影响长期未被系统研究。
通过XRD、IR和Raman表征发现商业Na2S-c含13.5 mol% Na2SO3,而氢化纯化的Na2S-p完全去除SOx和Na2Sx杂质。XPS显示SOx在Na2S-c表面富集,形成166.9 eV(SO32?)和168.9 eV(SO42?)特征峰。
使用Na2S-c合成的Na3PS4呈非晶态,需270°C热处理才能结晶,且含12.3 wt.%非晶相。PDF分析证实其局部结构与纯样品相同,但相干长度更短。而Na2S-p合成的样品直接形成结晶态,σ(Na+)达0.17 mS cm?1,比Na2S-c样品高三个数量级。
对于Na2.85P0.85W0.15S4,Na2S-c导致70.3 mol% Na3POS3杂相和WS2残留,而Na2S-p实现完全钨掺入,σ(Na+)提升50%至14.7 mS cm?1。
通过两步加热法(375°C预烧+400°C烧结)实现x=0.25的钨溶解度,Na2.8P0.8W0.2S4冷压粉末σ(Na+)=15.5 mS cm?1,烧结后跃升至26.4 mS cm?1。Arrhenius曲线显示恒定活化能EA=0.24 eV,表明电导提升源于钠空位(VNa??)浓度增加而非迁移机制改变。
本研究阐明前驱体纯度对电解质性能的决定性影响:1)SOx杂质阻碍结晶并诱发杂相;2)Na2Sx通过钠缺陷提升Na3PS4电导但抑制WS42?掺入;3)氢化纯化实现x≈0.25的完全掺杂,创下硫代磷酸盐电解质电导新纪录。
采用行星式球磨(600 rpm,15 min×6循环)和两步烧结(375°C+400°C)工艺,通过Mo-Kα XRD(2θ=5–40°)、XPS(Al-Kα,1486.6 eV)和PDF(Ag-Kα,Qmax=17 ??1)系统表征材料。EIS测试在25°C下采用10 mV振幅,金电极通过热蒸发沉积(200 nm)。
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