基于含氟二胺与扭曲三苯甲烷单元及大位阻侧链的低介电常数聚酰亚胺设计与合成

（编辑推荐）本文针对5G通信技术对低介电材料的需求，创新性地通过一步法合成三种含氟二胺单体，其扭曲非平面结构显著提升聚酰亚胺（PI）性能：介电常数（Dk）低至2.20@108 Hz，热稳定性（Td5>500°C）与透光率（T500>85.9%）俱佳，为高频电子器件提供理想介电材料解决方案。

　　

Highlight

本研究通过简易高效的一步法策略，成功构建了三种具有完全非平面扭曲结构的含氟二胺单体。氟含量与大位阻侧链的协同作用显著提升了聚酰亚胺（PI）的介电性能（D_k=2.20@10⁸ Hz）与耐湿性（水接触角W_CA=93.90°），同时保持优异的热稳定性（T_d5>500°C）和透光率（T₅₀₀>85.9%）。

Conclusions

结论表明，以4,4′-二氨基三苯甲烷为核心设计的含氟二胺，其扭曲非平面构型对聚酰亚胺性能起决定性作用。与6FDA聚合所得PI材料在热稳定性（T_d5=500–516°C）、介电性能（D_k=2.20–2.45）及溶剂加工性方面表现突出，为高频电子器件提供了兼具低成本与高性能的介电材料解决方案。