抑制界面电荷转移构建超稳定全色发光BaMoO4/CsPbX3异质结及其光电应用研究

（编辑推荐）本研究通过一步无溶剂热外延生长策略，成功构建了晶格匹配度达90.3%-100%的BaMoO4/CsPbX3（X=Cl, Br, I）异质结。利用MoO42?表面缺陷钝化效应和BaMoO4中Frenkel激子对界面电荷转移的抑制作用，使异质结光致发光强度提升5.81倍，荧光寿命延长4.22倍，并实现辐射/溶剂/冷热循环下的超稳定全色发光。基于该异质结的WLED器件发光效率达31.2 lm W?1，色域覆盖100% NTSC标准。

　　

Highlight

本研究采用简单的一步无溶剂热法成功构建了BaMoO₄/CsPbX₃异质结。基于晶格匹配原理（匹配度90.3%-100%），CsPbX₃量子点(QDs)在BaMoO₄基底表面实现原位外延生长。与纯CsPbBr₃ QDs相比，异质结的光致发光(PL)强度显著提升5.81倍，荧光寿命延长4.22倍，这归因于MoO₄^2?离子对CsPbBr₃ QDs的表面缺陷钝化作用。

Results and discussion

通过X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)证实了异质结的成功构建。能带结构分析显示，BaMoO₄中强束缚的Frenkel激子可有效抑制异质结界面电荷转移，使其在紫外线辐射、极性溶剂和-20℃~80℃冷热循环下保持超稳定发光。通过调控卤素组成（Cl/Br/I），异质结发光范围覆盖整个可见光谱（紫光到红光）。

Conclusions

该工作开发的无溶剂热合成法为构建高稳定性钙钛矿异质结提供了新思路。BaMoO₄/CsPbX₃异质结在防伪标签和白光LED(WLED)等光电领域展现出应用潜力，其中WLED器件实现31.2 lm W^?1的发光效率、7586 K的相关色温(CCT)和100% NTSC色域覆盖率。