盐辅助化学气相沉积法制备晶圆级单层二硒化钼及其高性能电子器件应用

来自国内的研究人员通过盐辅助化学气相沉积(SA-CVD)技术，成功在蓝宝石衬底上制备出2英寸晶圆级单层二硒化钼(MoSe2)薄膜，并开发了仅需去离子水辅助的温和无损转移方法。所制备场效应晶体管(FET)展现出39.1 cm2V?1s?1的高迁移率和108-1010的开关比，为过渡金属硫族化合物(TMDCs)的规模化集成提供了有效方案。

　　

在二维材料研究领域，单层二硒化钼(MoSe₂)作为过渡金属硫族化合物(TMDCs)家族的重要成员，因其独特的物理和电子特性成为下一代半导体器件的明星材料。然而要实现其实际应用，如何规模化制备高质量单晶薄膜一直是亟待突破的技术瓶颈。

最新研究通过创新的盐辅助化学气相沉积(SA-CVD)技术，在蓝宝石衬底上成功实现了直径达2英寸的晶圆级单层MoSe₂外延生长。更令人振奋的是，研究团队开发出仅需去离子水辅助的清洁、快速、无损转移工艺，完美解决了二维材料器件加工中的转移难题。

电学性能测试显示，基于该材料的场效应晶体管(FET)器件表现出39.1 cm²V^?1s^?1的优异载流子迁移率，以及高达10⁸-10¹⁰的电流开关比，这些指标均达到业界领先水平。该研究不仅建立了TMDCs材料的规模化制备新范式，更为其在柔性电子、光电探测器等前沿领域的应用铺平了道路。