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非局部多铁性层合复合材料界面应力缺陷的动态响应研究
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年08月13日 来源:CMES - Computer Modeling in Engineering and Sciences
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本研究针对磁电弹性(MEE)层合复合材料在纳米尺度下的动态响应问题,创新性地结合Eringen非局部理论和伪Stroh公式,建立了考虑界面应力缺陷的传播矩阵模型。研究人员通过解析方法研究了BaTiO3/CoFe2O4三明治结构的谐波传播特性,发现非局部效应会显著降低高频区的色散曲线,而界面应力对模态形状的影响更为突出。该研究为MEE复合材料的设计提供了理论框架和计算工具。
在智能材料和微纳器件领域,磁电弹性(Magnetoelectroelastic, MEE)复合材料因其独特的力-电-磁耦合特性备受关注。这类材料在传感器、能量收集器和记忆器件等方面展现出巨大潜力。然而,随着器件尺寸进入纳米尺度,传统连续介质力学理论面临挑战——量子效应和长程相互作用开始主导材料行为,而界面缺陷等微观结构特征会显著影响材料的宏观性能表现。
国立阳明交通大学土木工程系的研究团队在《CMES - Computer Modeling in Engineering and Sciences》发表的研究中,创新性地将Eringen非局部理论引入多铁性层合复合材料的动态响应分析。他们针对BaTiO3(BTO)/CoFe24(CFO)层合结构,建立了考虑界面应力缺陷的传播矩阵模型,系统研究了谐波在非局部MEE材料中的传播规律。
研究采用伪Stroh公式构建各向异性材料的传播矩阵,通过递归算法处理多层结构的界面条件。关键技术包括:1) 建立非局部本构关系,引入长度参数l表征尺度效应;2) 发展扩展位移-牵引力场解法;3) 构建包含弹性、介电和磁导参数的界面矩阵;4) 采用特征值方法求解色散方程。
3.1 各向异性板的场解
研究首先推导了正交各向异性MEE材料的本构方程,其中应力σg、电位移Dg和磁通量Bg通过非局部微分算子与经典场量关联。通过假设谐波形式的解,将问题转化为特征值问题求解。
3.2 界面应力型缺陷界面
创新性地引入"扩展界面应力"接触条件,通过界面矩阵Mj描述不完美界面的力学-电-磁耦合行为。该矩阵包含界面弹性模量fαβγμ、介电常数κf和磁导率μf等参数。
3.3 层合板中的递归场解
建立从底层到任意层的递归关系,通过传播矩阵Pj(hj)和界面矩阵Mjg的乘积传递场量。在自由振动条件下,通过边界条件得到色散方程detS21=0。
4.1 Lamb波分析
数值模拟显示,非局部效应(l/H=0.06,0.12)会显著降低高频区的色散曲线,且这种影响随非局部长度增加而增强。界面缺陷(Γm=10-1-100)则主要改变模态形状,特别是对高阶模态影响显著。在BTO/CFO/BTO结构中,非局部效应使截止频率降低达15%。
这项研究建立了非局部MEE复合材料的统一分析框架,为纳米级智能器件的设计和优化提供了理论工具。特别是在高频器件领域,研究揭示了尺度效应和界面缺陷的耦合机制,对提高器件性能具有指导意义。该方法可扩展到其他多铁性材料和复杂边界条件的研究中。
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