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应力场多尺度模拟对碳化硅性能的调控机制及加工行为影响研究
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年08月10日 来源:Vacuum 3.9
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这篇研究通过创新性结合第一性原理计算(DFT)、分子动力学(MD)和多尺度模拟,系统揭示了应力对碳化硅(SiC)机械性能(硬度、弹性模量)和热力学参数(熵S、热容Cp、焓H、吉布斯自由能G)的调控机制,为航空航天和核能领域SiC材料的精密加工提供了理论支撑。
Highlight
应力通过改变原子间距和键角,显著调控材料的机械与化学性质。本研究通过第一性原理计算(DFT)与多尺度模拟的创新结合,揭示了应力对碳化硅(SiC)性能的影响机制。
测量应力与硬度分布
采用固定磨料垫对2英寸SiC晶圆进行研磨实验,在3-5 Psi载荷下检测残余应力与硬度。结果显示:表面压应力随载荷增加而增强(3 Psi时达-1.27 GPa),硬度分布呈现非均匀特征,为后续模拟提供数据基础。
应力梯度与尺寸效应
有限元分析(FEA)和分子动力学(MD)模拟表明:应力梯度会显著影响压痕过程中硬度与弹性模量的尺寸依赖性。有趣的是,当材料尺寸低于20 nm时,弹性模量波动呈现非线性规律——这与表面张力效应密切相关。
原子尺度应力响应
DFT计算预测了不同应力条件下SiC的晶格结构演变:压应力使体积模量(Bulk modulus)提升12%,而拉应力会降低反应能垒,加速氧化反应动力学。这种“应力-化学耦合”效应为理解加工中的材料去除行为提供了新视角。
Conclusion
研究证实应力值和方向对SiC性能具有双重调控作用:压应力提升硬度和热稳定性,而拉应力促进相变和化学反应活性。这些发现为优化SiC精密加工工艺提供了多尺度理论框架。
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