通过直接激光接触升华转移方法制备的低温转移纳米结构二维过渡金属硫属化合物

《Advanced Functional Materials》：Low-Temperature Transferred Nanostructured 2D Transition Metal Dichalcogenides by a Direct Laser Contact Sublimation Transfer Method

提出直接激光接触升华转移（DLCST）方法，通过精确控制激光强度和曝光时间，将SnSe、NiSe、SbSe等二维材料从供体转移到受体基底，获得SnSe/SnSe2纳米片、纳米棒及纳米岛等可控形貌，并成功应用于钠离子电池阳极（容量保持率82%）和光电探测器（515nm激光下0.115秒快速响应）。

　　

摘要

本文提出了一种直接激光接触升华转移（DLCST）方法，该方法通过间接激光加热过程将采用传统蒸发器制备的二维薄膜从供体基底蒸发出来，并将其重新沉积在受体基底上。通过这种方法，已经成功地将多种二维材料（包括晶体SnSe_x、NiSe_x和SbSe_x）转移到受体基底上。为了全面理解转移机制及其应用，本研究选择了SnSe_x作为目标材料。通过精确控制DLCST过程中的激光强度和曝光时间，实现了从SnSe/SnSe₂纳米片到纳米棒再到纳米岛的不同形态的可控转变。最后，利用该方法将SnSe/SnSe₂纳米片转移到各种柔性基底上，并将生长在铜箔上的SnSe/SnSe₂纳米片（SnSe/SnSe₂纳米片@copper）应用于钠离子电池阳极和光电探测器。实验结果表明，SnSe/SnSe₂纳米片@copper电极在1 Ag^?1的电流密度下经过100次循环后，容量保持率为82%（215 mAh g^?1），表现出良好的循环稳定性。此外，该光电探测器对515 nm激光辐射具有快速且稳定的光响应，能在0.115秒内产生约5.6 μA的光电流峰值。

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。