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基于范德华异质结键合的金刚烷烯超低紫外光子探测:界面工程提升光电性能新突破
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年08月05日 来源:Research 10.7
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针对金刚石基材料自由电子水平低制约紫外光电探测性能的难题,研究人员通过范德华(vdW)异质结键合技术构建金刚烷烯探测器,实现2.04 A/W的高响应度和>1012 Jones的探测率,在28个光子条件下仍可清晰成像,为超高灵敏度紫外探测器发展提供新范式。
在光电探测领域,深紫外(200-280 nm)光谱信息的高灵敏度、抗干扰检测一直是技术难点。传统材料如Ga2O3和GaN虽被广泛研究,但存在带隙限制、氧空位缺陷等问题,而金刚石虽具有>2,000 cm2 V?1 s?1的高载流子迁移率,却受限于自由电子浓度不足。如何突破这一瓶颈,成为推动紫外探测器发展的关键。
国防科技大学的研究团队创新性地采用范德华(van der Waals, vdW)异质结键合技术,将少层石墨烯和六方氮化硼(hBN)与金刚石基底结合,构建出具有界面键合结构的金刚烷烯(diamondene)光电探测器。这项发表于《Research》的研究,通过理论计算与实验验证相结合,揭示了该器件在太阳盲区紫外波段(220-236 nm)的卓越性能:响应度达2.04 A/W,外量子效率(EQE)高达1.1×103%,探测率(D*)超过1012 Jones,并实现仅需28个光子的超弱光成像。
研究团队运用密度泛函理论(DFT)结合GW-贝特-萨尔皮特方程(GW-BSE)方法进行理论计算,通过高压不可逆键合技术制备器件,并采用半导体分析仪和230 nm紫外光源完成光电性能表征。
结果部分的核心发现包括:
这项研究通过vdW异质结工程成功提升金刚烷烯的自由电子水平,解决了金刚石基材料导电性差的根本问题。其创新性体现在:① 理论预测与实验验证结合,阐明激子-声子耦合增强光电流的物理机制;② 器件在230 nm波段的响应度比Ga2O3器件高20倍;③ 首次实现金刚石基探测器在近单光子水平的成像应用。该成果为深紫外探测在空间通信、生物医学等领域的应用开辟了新途径,特别是为极端弱光环境下的目标识别提供了革命性解决方案。
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