锌浓度对采用化学浴沉积技术制备的Ni1?xZnxS薄膜紫外传感性能的影响

《physica status solidi (a)– applications and materials science》：Effect of Zn Concentration on the UV Sensing Performance of Ni1?xZnxS Film Synthesized using Chemical Bath Deposition Technique

采用化学沉积法制备Ni1?xZnxC（x=0.2,0.4,0.6,0.8）薄膜器件，研究Zn含量对UVA/UVC光照下电学及紫外传感性能的影响。暗态和UVC下I-V线性，UVA下非线性I-V表明空间电荷限制电流。所有器件响应时间≈1s，最高Zn浓度器件UVA下响应度0.30 AW?1，EQE 101.92%，D*9.52×1011 Jones；UVC下响应度67.74 mAW?1，EQE 32.30%，D*3.02×1011 Jones，且可见光盲，适用于选择性紫外传感。

　　

摘要

采用化学浴沉积技术在硅基底上制备了Ni_1?xZn_xS（x = 0.2、0.4、0.6和0.8）薄膜。本研究重点探讨了Zn含量对Ni_{1?xZnxS基器件在UVA（约365 nm）和UVC（约260 nm）光照下的电学性能和紫外传感性能的影响。在暗环境和UVC光照下，该器件的电流-电压（I-V）特性呈线性，表明其具有欧姆导电性。有趣的是，在UVA光照下，空间电荷限制电流会导致I-V特性呈现非线性。所有器件均表现出良好的光响应特性，响应时间约为1秒。在所有器件中，Zn浓度最高的器件在UVA光照下的性能最佳，其响应度、外部量子效率和特定检测率分别为0.30 AW^?1、101.92%和9.52 × 10¹¹ Jones。对于同一器件在UVC光照下的测试结果，响应度为67.74 mAW^?1，外部量子效率为32.30%，特定检测率为3.02 × 10¹¹ Jones。此外，这些器件对可见光不敏感，这凸显了它们作为选择性紫外传感器的潜在应用价值。}

利益冲突

作者声明不存在利益冲突。