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通过使用环形纳米孔电极的介电泳技术,实现了InGaN/GaN纳米棒LEDs的垂直对齐效果的提升
《Advanced Optical Materials》:Enhanced Vertical Alignment of InGaN/GaN Nanorod LEDs Through Dielectrophoresis with Donut-Shaped Nanohole Electrodes
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年08月04日 来源:Advanced Optical Materials 7.2
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介电泳技术通过环形纳米孔电极结构实现纳米棒LED的垂直对齐,有效提升对齐效率至78%,为高分辨率显示器件开发提供新思路。
介电泳(DEP)作为一种有前景的质量传输方法,已被广泛应用于纳米棒发光二极管(NRLs)的排列研究。然而,大多数研究集中在水平排列上,这种排列方式由于NRLs的排列方向与主要发光方向不匹配,限制了光的提取效率,并且难以将NRLs精确地放置在所需位置。在本研究中,通过引入一种环形纳米孔电极(DNE)结构,利用DEP实现了NRLs的垂直排列,从而提高了排列效率。DNE由两个电极组成,两者之间由绝缘层隔开,每个纳米孔内都有一个中心柱。这个中心柱防止NRLs倾斜并水平放置在底部电极上,从而可以在一个纳米孔内放置多个NRLs。此外,通过优化NRL和DNE的尺寸,可以有效地控制其排列方向。实验结果表明,1×1、2×2和3×3排列的DNE阵列的排列效率分别达到了78%、63%和61%。这些结果证明了所提出结构的可行性,为下一代显示技术中实现超小型、高分辨率的显示像素提供了有希望的途径。
作者声明没有利益冲突。