应变调控MoS2/MoSe2横向超晶格弹性各向异性的机理研究与器件设计应用

（编辑推荐）本研究通过第一性原理计算揭示了应变工程对二维过渡金属二硫化物（2D TMDs）横向超晶格（LS）弹性各向异性的调控机制。发现单轴应变（锯齿形/扶手椅方向）可显著增强MoS2/MoSe2 LS的剪切各向异性因子和泊松比（Poisson's ratio）各向异性，而双轴应变无此效应，为开发方向敏感应变传感器和纳米电子器件提供了理论依据。

　　

Highlight
应变调控的弹性各向异性研究为二维过渡金属二硫化物（2D TMDs）超晶格在功能器件设计中的应用开辟了新途径。

Results and discussion
本节通过第一性原理计算解析了应变对MoS₂/MoSe₂横向超晶格（LS）弹性各向异性的影响。该超晶格由单层MoS₂的2×1超胞中两个S原子被Se取代形成（图1），属于二维正交晶系。x和y轴分别平行和垂直于超晶格周期方向。未应变时，MoS₂/MoSe₂ LS的晶胞参数a≈5.600?，b≈3.280?。有趣的是，在单轴应变下，晶格常数a与b呈现此消彼长的关系——当a（b）增大时，b（a）会相应减小，这种耦合效应显著影响材料的弹性行为。

Conclusion
本研究通过系统计算揭示了应变对MoS₂/MoSe₂ LS结构参数和弹性各向异性的调控规律。特别发现单轴应变（锯齿形/扶手椅方向）能诱导显著的弹性各向异性，而双轴应变则保持各向同性特征。这些发现不仅为实验研究提供理论基础，更为设计新型方向敏感应变传感器和可编程纳米电子器件提供了关键指导。