La含量对低合金耐磨钢中夹杂物、晶粒细化及冲击韧性的影响：原位拉伸测试与EBSD取向分析

本文通过第一性原理计算系统研究了应变对MoS2/MoSe2横向超晶格（LS）弹性各向异性的调控作用，揭示了单轴锯齿型应变、扶手椅型应变与面内双轴应变对二维过渡金属二硫化物（2D TMDs）超晶格力学性能的差异化影响，为设计方向敏感型应变传感器和纳米电子器件提供了理论依据。

　　

Highlight

本研究通过应变调控实现了MoS₂/MoSe₂横向超晶格（LS）弹性各向异性的定量解析，为各向异性增强型应变传感器和可编程纳米电子器件奠定了设计基础。

Computational setup

采用基于密度泛函理论（DFT）的平面波赝势方法，通过CASTEP软件进行晶体结构优化与弹性性质计算。交换关联能采用广义梯度近似（GGA-PBE），平面波截断能设置为520 eV，k点网格设为12×12×1。弹性常数通过应变-应力关系计算，应变范围覆盖-0.06至0.06（步长0.02）。

Results and discussion

MoS₂/MoSe₂ LS在2×1超晶胞中呈现二维正交晶系结构（图1）。单轴应变下，晶格常数a与b呈现此消彼长的反比关系：当a轴受拉时b轴收缩，反之亦然。弹性常数计算表明，单轴应变会显著增强体系的剪切各向异性因子（0.64-1.35）与杨氏模量（125-185 GPa），而面内双轴应变则保持各向同性特征。这种应变依赖的弹性"开关"效应，为设计方向敏感器件提供了新思路。

Conclusion

研究证实单轴应变可有效调控MoS₂/MoSe₂ LS的弹性各向异性，其机制源于应变诱导的键长重构与电子重排。该发现不仅拓展了二维超晶格在应变工程中的应用场景，更为开发新型智能传感系统提供了材料基础。