为了解决这些问题,美国密歇根大学(University of Michigan)和耶鲁大学(Yale University)的研究人员展开了深入研究。他们将不同金属催化剂负载在生长于n+?p硅晶片上的氮化镓(GaN)纳米线上,制备出光电极,用于光电化学NO3??RR制氨。研究发现,Co 和 Ni 催化剂在该体系中表现最为优异。相关研究成果发表在《Nature Communications》上。
研究人员主要运用了以下关键技术方法:首先,通过等离子体辅助分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)在n+?p硅晶片上生长 GaN 纳米线,再利用光沉积法(photodeposition method)负载金属催化剂;其次,运用多种表征技术,如扫描电子显微镜(SEM)、高角度环形暗场扫描透射电子显微镜(HAADF-STEM)、能量色散光谱(EDS)、X 射线光电子能谱(XPS)等对材料进行表征;最后,在 H 型电池中进行光电化学测试,并使用多种分析方法对反应产物进行定量分析 。
金属催化剂负载的光电极:利用 SEM、HAADF-STEM 和 EDS 对光电极进行表征,结果显示 GaN 纳米线垂直排列在n+?p硅晶片上,金属催化剂以纳米颗粒形式分散在 GaN 纳米线表面。XPS 分析表明,金属催化剂部分覆盖在 GaN 表面,且表面存在金属氧化物。
光电化学NO3??还原反应:通过线性扫描伏安法(LSV)、电化学阻抗谱(PEC impedance spectroscopy)等测试手段,研究人员发现不同金属催化剂对光电极的起始电位、光电流密度、法拉第效率等性能影响显著。其中,Co 和 Ni 负载的光电极表现突出,Co/GaN/Si 在 0.2 - -0.7 VRHE?的宽电位窗口内,氨的法拉第效率(FENH3??)大于 90% ;Ni/GaN/Si 在 0 V RHE?时,NH3?的生成速率可达 83.3 μmol/h/cm2,在 -0.4 V RHE?时达到最大值 201.6 μmol/h/cm2。同时,研究还发现 GaN 纳米线在反应中能促进水的解离,为反应提供质子,从而提升反应性能。
稳定性研究:对 Co/GaN/Si 和 Ni/GaN/Si 光电极进行稳定性测试,在 0 V RHE?和 -0.6 V RHE?下连续反应 10 小时,光电极的催化活性没有明显下降,形貌也未发生显著变化,证明了该光电极的稳定性。
理论计算:通过密度泛函理论(DFT)计算,研究人员深入探讨了 Co 和 Cu 催化剂的催化机理。结果表明,NO2??中间体的吸附模式在反应中起着关键作用。在 Cu 催化剂表面,NO2??倾向于以 * ONO - 模式吸附,这种模式不利于进一步脱氧生成NH3?,导致主要产物为NO2??;而在 Co 催化剂表面,缺陷的形成促进了NO3??的还原,使得NH3?成为主要产物 。
综合研究结论与讨论部分,该研究成功制备出高效稳定的光电极用于光电化学NO3??RR制氨。Co 和 Ni 等第一行过渡金属催化剂在该体系中表现优于贵金属和传统的 Cu 催化剂,通过原位红外测量和理论计算揭示了反应机理。该研究成果为设计高效的光电极用于绿色NH3?生产提供了理论依据和实践指导,有望推动工业规模的太阳能驱动NO3??转化为NH3?的应用,实现污染物治理与能源生产的双赢。