《Nature Structural & Molecular Biology》:Heritable maintenance of chromatin modifications confers transcriptional memory of interferon-γ signaling
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在细胞对干扰素 -γ(IFNγ)刺激的响应机制研究中,为探究 IFNγ 信号转录记忆的分子机制,研究人员开展了相关研究。结果发现,IFNγ 刺激后,染色质修饰 H3K4me1、H3K14ac 和 H4K16ac 在鸟苷酸结合蛋白(GBP)基因簇上选择性维持,且发现顺式调控元件调控 GBP 表达。该研究为理解先天免疫增强提供了理论依据。
在细胞的生命旅程中,外界信号不断影响着它们的 “行为”。
干扰素 -γ(IFNγ)作为一种重要的细胞信号分子,能短暂激活与炎症和先天免疫相关的基因。然而,细胞在 IFNγ 刺激后,部分基因竟能 “记住” 这一经历,在再次接触 IFNγ 时表现出超激活状态,其背后的机制却一直是个谜。这一未知不仅阻碍了我们对细胞免疫反应的深入理解,也限制了相关疾病治疗策略的开发。因此,开展对 IFNγ 信号转录记忆机制的研究迫在眉睫。
为了揭开这层神秘的面纱,来自英国牛津大学等机构的研究人员(Pawel Mikulski、Sahar S. H. Tehrani 等)进行了一系列深入探究。他们的研究成果发表在《Nature Structural & Molecular Biology》杂志上,为我们呈现了 IFNγ 信号转录记忆背后的染色质奥秘,对增强先天免疫的理解具有重要意义。
研究人员在此次研究中运用了多种关键技术方法。通过 Cut&Run-seq 技术(一种用于研究蛋白质与 DNA 相互作用的技术),他们分析了不同状态下染色质修饰的变化情况;利用 RNA 干扰(RNAi)和小分子抑制剂处理细胞,探究相关蛋白在基因表达和记忆中的作用;借助 CRISPR-Cas9 技术构建基因敲除细胞系,研究顺式调控元件的功能;采用 Capture-C 技术研究染色质的相互作用。
研究结果主要包括以下几个方面:
- 许可染色质修饰在 GBP 基因上的遗传维持:研究人员用反复的 IFNγ 刺激(启动和再诱导)处理人 HeLa 细胞,发现 GBP 家族基因在再次接触 IFNγ 时会超激活表达。进一步研究发现,H3K4me1、H3K14ac 和 H4K16ac 这些许可染色质修饰在启动后,即使细胞持续增殖且 GBP 基因不表达,仍能在记忆 GBP 基因的染色质上选择性维持,而 H3K4me3则迅速下降。这表明这些特定的许可染色质修饰可能赋予了转录记忆。
- IFNγ 驱动 GBP 簇上短暂的抑制性染色质组装:在未刺激的细胞中,H3K27me3(一种由 Polycomb 介导的抑制性组蛋白修饰)广泛存在于 GBP 簇。令人惊讶的是,在启动过程中,尽管 GBP 基因上调,但 H3K27me3却在簇上积累。启动后,H3K27me3在强记忆基因的基因体和近端启动子处局部缺失,且这种缺失在记忆期和再诱导时更为明显。这说明抑制性染色质修饰的动态变化与 GBP 基因的转录记忆密切相关。
- 抑制性染色质在活跃转录的 GBP 基因上组装:研究人员构建了 GBP1-GFP 报告细胞系,通过活细胞成像发现,GBP1 在启动时只有约 30% 的细胞表达,再诱导时这一比例升至 90% 以上。对 GFP 阳性和阴性细胞的分析表明,H3K14ac 和 H3K27me3的积累并非源于细胞群体中 GBP 表达的差异,而是与基因转录同时发生。
- H3K14ac 和 H3K27me3的写入酶对 GBP 表达和记忆的作用:通过瞬时敲低 H3K14ac 的写入酶 KAT7,研究发现 KAT7 介导的 H3K14 乙酰化对促进 GBP 记忆基因表达,尤其是再诱导时的表达至关重要。抑制 EZH1/2(生成 H3K27me3的甲基转移酶)会导致 GBP 记忆基因在启动时的上调幅度比再诱导时更大,表明 EZH1/2 通过 H3K27me3抑制 GBP 记忆基因的表达。
- 转录记忆的潜在调节因子的鉴定:研究人员筛选了包含 21 种针对染色质修饰剂的小分子库,发现 DOT1L(H3K79 甲基转移酶)抑制剂 SGC0946 和 EZH1/2 抑制剂 UNC1999 等能影响 GBP1-GFP 的表达。进一步研究表明,DOT1L 及其催化产物可能参与 GBP 簇的调控。
- 顺式调控元件对 GBP 簇的抑制作用:研究人员通过对 GBP 拓扑相关结构域(TAD)及其周围区域进行聚类分析,发现了两个顺式调控元件 E1 和 E2。敲除 E2 会导致 GBP 记忆基因在再诱导时显著上调,说明 E2 是 GBP 基因的转录抑制因子,能抑制 GBP 基因的过度激活。
- 顺式调控元件介导簇内相互作用:利用 Capture-C 技术,研究人员发现 E2 和另一个位点 CH-C 能在 GBP 簇内广泛相互作用,且这些相互作用在 IFNγ 刺激时增强,但在启动后重置。这表明染色质的空间构象变化可能参与 GBP 基因的调控。
- 抑制元件的延迟激活促进 GBP 超表达:研究发现 E1 和 E2 在 IFNγ 再诱导时表现出转录记忆,且其激活动力学与 GBP 记忆基因不同。E2 元件的延迟激活、许可染色质标记的维持较弱以及 H3K27me3的保留,使得 GBP 记忆基因在再诱导初期能够逃脱 E2 的抑制,随后 E2 又能限制 GBP 的过度激活。
研究结论和讨论部分指出,在 IFNγ 启动的细胞中,转录记忆由独特的许可和抑制染色质修饰的平衡介导。许可染色质修饰(H3K4me1、H3K14ac 和 H4K16ac)在 GBP 簇中的稳定维持,以及 H3K27me3的动态调控,共同影响着 GBP 基因的转录记忆。此外,E2 元件虽具有增强子特征,但在 GBP 表达中起抑制作用,其作用机制有待进一步研究。这些发现不仅为理解 IFNγ 信号转录记忆的分子基础提供了重要线索,也为增强先天免疫反应的研究开辟了新方向,有望为相关疾病的治疗提供潜在的靶点和理论依据。
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