半赫斯勒窄带隙半导体展现压电特性，开拓多功能技术应用新可能

研究人员发现半赫斯勒（HH）窄带隙半导体有压电（PE）效应，高温稳定，具应用潜力。

　　编辑总结：压电材料在受到应力时会产生电能，可用作传感器或执行器。由于多种原因，性能良好的压电材料通常是电绝缘体或宽带隙半导体。Huang 等人的研究表明，半赫斯勒（HH）家族的窄带隙半导体也可能具有引人注目的压电特性。他们发现至少有三种无铅成分，即便在高温下也具有良好的压电应变系数。这些材料所具备的独特性能组合，使其在与传统压电材料不同的众多应用领域中成为极具潜力的选择。——Brent Grocholski

摘要：压电性主要在非中心对称绝缘体或宽带隙半导体中被观测到。研究人员报告了在半赫斯勒（HH）窄带隙半导体 TiNiSn、ZrNiSn 和 TiCoSb 中观察到压电（PE）效应。这些材料展现出的剪切压电应变系数，在 ZrNiSn 和 TiCoSb 中分别可达约 38 和 33 皮库仑 / 牛顿，对于非中心对称的非极性材料而言，这是相当高的值。研究人员展示了一种基于 TiCoSb 的压电传感器，其具有较大的电压响应，并且能够为电容器充电。半赫斯勒材料中的压电效应在高达 1173 开尔文的温度下仍保持热稳定性，凸显了它们在高温应用中的潜力。这些研究结果表明，这些半赫斯勒窄带隙半导体在先进的多功能技术领域可能有着广阔的应用前景。