晶格畸变赋能高熵二硼化物实现超常电磁波吸收性能

随着无线通信技术迅猛发展，电磁污染已成为全球性难题。研究人员通过晶格畸变工程策略，在高熵二硼化物(HEBs)中实现突破性电磁波吸收性能——在1.5 mm超薄厚度下获得7.2 GHz有效吸收带宽。该研究揭示金属空位诱导的偶极极化损耗/传导损耗与纳米团簇引发的界面极化损耗三重协同机制，为陶瓷吸波材料开发提供普适性新思路。

　　电磁污染正伴随无线通信技术普及演变为严峻的全球性问题，亟需开发高性能电磁波吸收材料。最新研究通过精准调控高熵二硼化物(HEBs)的晶格畸变，在1.5 mm超薄厚度下实现7.2 GHz的惊人有效吸收带宽。科研人员通过组分设计诱导晶格畸变，产生两类关键微观结构特征：金属空位和化学纳米团簇。前者通过缺陷偶极子(dipole polarization)和自由载流子(conduction loss)双重作用增强损耗；后者则构建异质界面引发界面极化损耗(interfacial polarization)。这种"三位一体"的损耗机制协同作用，使材料在X-Ku波段展现出卓越的宽频吸波性能。该研究不仅为陶瓷基吸波材料提供晶格工程新范式，更开辟了通过熵调控优化电磁功能材料的新途径。