巨 Berry 曲率驱动非晶铁磁体 Co2MnGa 的独特电学特性：开启自旋电子学新征程

为探究非晶磁性材料的电学特性，研究人员开展了关于非晶 Co2MnGa（a-CMG）薄膜的研究。结果发现 a-CMG 薄膜展现出巨大的由 Berry 曲率诱导的反常霍尔效应和反常霍尔角，这为低成本、热稳定的非晶拓扑材料用于电子和自旋电子学提供可能。

　　在非晶材料中，长程平移有序性被破坏，k 不再是一个好的量子数；然而，一些现象，比如铁磁相互作用和类似于 Berry 曲率的机制可以保留下来。研究表明，非晶 Co₂MnGa（a-CMG）薄膜存在巨大的由 Berry 曲率诱导的反常霍尔效应（anomalous Hall effect）和反常霍尔角（anomalous Hall angle）。值得注意的是，该效应与具有 L2₁结构的高质量晶体 CMG 的效应大小相同。a-CMG 的弹性中子散射峰集中在接近晶相的位置，这表明非晶材料具有相似的局部原子环境和磁相互作用。第一性原理密度泛函理论（density functional theory）计算进一步表明，只有当非晶结构中的局部环境与 L2₁相相似时，才会产生反常霍尔电导率。这项研究有力地证明了低成本、与工业兼容且热稳定的非晶拓扑材料在新兴电子和自旋电子学应用中的潜力。