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基于局部化学环境的高熵合金电催化剂电子描述符设计与性能调控
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年02月02日 来源:Nature Communications
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为解决高熵合金(HEAs)电催化剂设计中局部化学环境复杂导致的活性调控难题,Guolin Cao等研究人员通过高通量密度泛函理论(DFT)计算,提出融合d带填充(fdMetal)与邻域电负性(χN)的电子描述符Ω,成功预测氧还原反应(ORR)中间体吸附能,构建了涵盖9种贵金属的活性图谱,为高效HEAs催化剂设计提供新范式。
在能源转换领域,高熵合金(HEAs)因其近乎无限的成分组合和独特的局部化学环境,成为突破传统催化剂性能瓶颈的新兴材料。然而,HEAs表面数百万个非均匀活性位点的复杂电子结构,使得"如何理性设计高活性位点"这一关键科学问题长期悬而未决。传统d带中心(εd)描述符在HEAs体系失效的现象,更暴露出当前理论模型对局部化学环境影响的认知不足。
针对这一挑战,中国科学院合肥物质科学研究院的研究团队在《Nature Communications》发表创新成果。通过构建包含8170个吸附系统的庞大数据库,研究人员发现HEAs表面活性中心的反应性同时受两个关键因素调控:中心金属原子的本征d带填充分数(fdMetal),以及由邻域原子电负性均值(χN)决定的电子扰动。基于此,团队提出全新电子描述符Ω = fdMetal + αχN,其物理意义如图1所示——第一项反映中心原子的本征电子特性,第二项量化环境诱导的电荷重分布效应。
研究主要采用三项关键技术:1) 基于特殊准随机结构(SQS)方法构建HEAs表面模型;2) 高通量DFT计算获取O/OH吸附能(ΔEads)与电子结构参数;3) 建立热力学-动力学耦合模型预测ORR电流密度。通过系统分析Ag-Ir-Pd-Pt-Ru等多元体系的吸附行为,发现传统d带中心模型失效的根源在于HEAs中同时存在两种d带调控机制(图2e):能级刚性位移(Δεd)和能带展宽(ΔWd)。而新描述符通过引入χN与d带上边缘能量(εd+Wd/2)的线性关系(图3b),成功统一了这两种效应。
关键研究结果包括:
吸附能统计规律:HEAs表面O吸附能呈高斯分布(图2a),其中Pt/Ir中心位点结合增强,Pd/Ag位点减弱,Ru位点保持但波动最大,揭示元素特异性与环境效应的复杂交互。
描述符优化过程:初版fdX-center+αχN因"双重计数"导致预测偏差(图3c),最终采用fdMetal+αχN使误差降至0.06 eV(图3d),并成功推广至桥位/面心立方位等多中心吸附(图5)。
ORR活性图谱:构建的九元贵金属HEAs活性图谱(图6)显示,Pd富集区(如Ag25Pd75)和Ir富集区(如Ir25-75Pt25-75)具有超越纯Pt的活性,与实验观测高度吻合。
这项研究的重要意义在于:
理论层面,揭示了HEAs表面电子结构的"中心-环境"协同调控机制,建立了连接局部化学环境与催化活性的定量关系;
方法学上,发展的电子描述符可大幅降低HEAs催化剂筛选的计算成本,将传统"试错法"转变为定向设计;
应用方面,预测的Pd/Ir基优化成分为开发新一代燃料电池催化剂提供明确方向。正如作者指出,该框架可扩展至其他重要催化反应,为高熵材料的理性设计开辟新途径。
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