一种高效能的308至331 GHz 4×2散热器阵列，在65纳米CMOS工艺下实现了仅芯片部分的13.6 dBm EIRP（有效发射功率）

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《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》：A Power-Efficient 308-to-331-GHz 4 × 2 Radiator Array Achieving 13.6-dBm Chip-Only EIRP in 65-nm CMOS

【字体：大中小】 时间：2025年12月18日 来源：IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 4.5

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　　提出一种基于低k变压器谐振槽的八单元THz辐射阵列，通过二维环耦合网络实现空间功率合成，TSMC 65nm工艺下芯片尺寸1.8×0.82mm，峰值EIRP达13.6dBm，效率0.493%。

摘要：

本文介绍了一种由八个耦合振荡器元件组成的高效太赫兹（THz）辐射器阵列。首先，提出了一种基于低变压器的谐振电路，该电路能够将振荡信号驱动至三极管的工作区域，并有效减少栅极与漏极之间的谐波泄漏。基于该谐振电路，设计了一个二次谐波振荡器以产生高输出功率。此外，还提出了一种具有U形槽的宽带双模片上贴片天线阵列，并对其进行了优化，以实现仅使用芯片时的高有效各向同性辐射功率（EIRP）。谐波振荡器通过环形可扩展耦合网络实现二维阵列配置，从而实现空间功率合成。该芯片采用TSMC 65纳米CMOS工艺制造，芯片核心面积为

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