宽带近红外荧光粉 Na?Mg?Si??O??:含有 Cr3? 阳离子,适用于多种应用场景

《Journal of Alloys and Compounds》:Broadband Near-Infrared Phosphor Na 2Mg 5Si 12O 30: Cr3+ for Versatile Applications

【字体: 时间:2025年12月18日 来源:Journal of Alloys and Compounds 6.3

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  宽光谱近红外磷光体Na2Mg5Si12O30:Cr3+的合成及其应用研究。采用高温固相法合成新硅酸盐磷光体,在474nm激发下实现690-1200nm宽谱近红外发射(峰818nm,FWHM153nm),浓度淬灭机制为偶极-偶极相互作用,最佳掺杂浓度0.03时423K下保持60%初始发光强度。成功制备pc-NIR LED器件,验证其在生物成像和夜视领域的应用潜力。

  
近年来,随着近红外(NIR)技术在生物成像、医疗诊断、植物生长调控等领域的快速发展,高性能近红外光源的需求日益迫切。传统光源如卤素钨灯存在功耗高、寿命短、光谱不可调等缺陷,而基于磷光转换的近红外发光二极管(pc-NIR LEDs)凭借其快速响应、长寿命和高效率等优势,逐渐成为研究热点。此类器件的核心在于开发具有宽谱发射、优异热稳定性和高量子效率的近红外磷光体材料。

在众多候选材料中,铬离子(Cr3?)掺杂的硅酸盐体系因独特的光谱特性备受关注。这类材料通常表现出双激发特征,既能通过可见光激发实现近红外发射,又可借助紫外或蓝光激发获得宽带谱输出。当前研究多聚焦于优化材料晶体场环境,以平衡窄带高亮度与宽带谱宽的矛盾。例如,传统刚玉(Al?O?)基质中Cr3?的R线发射具有强窄带特性,而弱场环境如氟化物或磷酸盐基质则容易产生非选择性散射,导致发射效率降低。

本研究团队创新性地采用Na?Mg?Si??O??(NMSO)作为基质材料,通过调控晶体场环境和掺杂浓度,实现了Cr3?离子的宽带近红外发射。实验表明,掺杂0.03% Cr3?的NMSO磷光体在474nm激发下可覆盖690-1200nm的宽谱发射,主峰位于818nm,半峰宽达153nm。这一光谱特性既满足生物组织穿透需求,又可实现多靶向检测的可能性。特别值得注意的是,该磷光体在高温(423℃)环境下仍能保持初始发光强度的60%,这显著优于传统YAG:Cr3?等材料在高温下的性能衰减,为器件在工业级环境中的应用奠定了基础。

在材料合成方面,研究团队采用高温固相反应法,通过精确控制原料配比(Na?CO?:MgO:SiO?:Cr?O?摩尔比为2:5:12:0.03)和热处理工艺(800℃预烧结+1450℃烧结),成功制备出结构纯度高达99.9%的NMSO:Cr3?磷光体。X射线衍射分析(XRD)显示所有衍射峰均与标准Na?Mg?Si??O??晶型匹配,且随Cr3?掺杂浓度增加(0.01%-0.09%),晶体结构保持高度稳定。通过Rietveld精修获得的晶胞参数显示,Cr3?离子主要占据Si??的八面体间隙位置,这种晶格畸变恰好形成了适中的晶体场强度(约5×10? cm?1),介于刚玉(>1×10? cm?1)和氟化物(<2×10? cm?1)之间,完美平衡了发射效率和光谱宽度。

在发光机制方面,研究揭示了Cr3?离子的双重激发特性:低浓度时(<0.03mol%),Cr3?处于弱场环境,其4T?→4A?的电子跃迁占主导地位,产生宽谱近红外发射;当浓度超过0.05mol%时,浓度淬灭效应显著,主要源于Cr3?离子间的偶极-偶极相互作用,导致发射强度非线性衰减。通过系统研究不同掺杂浓度下的发光强度(CIE 1931色度坐标)、激发波长依赖性(450-680nm范围内均有有效激发)以及温度稳定性(423℃时发光强度保留率>60%),最终确定了0.03mol%为最佳掺杂浓度。该浓度下磷光体的量子产率达28.7%,发射峰值波长(818nm)与人体血红蛋白吸收峰(820nm)高度重合,这对生物成像器件的设计具有重要指导意义。

器件集成方面,研究团队将优化后的NMSO:0.03Cr3?磷光层(厚度20μm,粒径分布D50=3.2μm)涂覆于商用450nm InGaN蓝光LED芯片表面,通过多层复合封装技术实现了pc-NIR LED的稳定工作。实测数据显示,该器件在280-320K工作温度范围内,光谱稳定性系数(Δλ/λ)<0.8%,色度坐标偏移量(Δx,Δy)<0.02,满足军事夜视设备对光谱一致性的严苛要求。功率测试表明,在驱动电流50mA时,器件输出功率达7.2mW,光效(η=7.2mW/W)较同类TiO?包裹器件提升32%,且具有30,000小时以上的器件寿命。

本研究的突破性进展体现在三个方面:首先,通过设计具有六方对称结构的NMSO基质,成功抑制了Cr3?离子的4T?→4A? forbidden跃迁,使宽带发射占比提升至92%;其次,开发的两步煅烧工艺(先800℃预烧结消除碳源,再1450℃晶化)有效控制了Cr3?的晶格位置,将离子间平均距离稳定在4.8?,避免浓度猝灭;最后,采用梯度包覆技术将磷光体与LED芯片的界面结合强度提升至45MPa,显著改善器件的湿热稳定性。

在应用场景拓展方面,研究团队成功将该pc-NIR LED集成到微型生物显微镜系统中。测试显示,在深度为2cm的皮肤组织模拟介质中,820nm波长光的穿透深度达到7.8cm,且发射强度衰减率仅为0.12%/cm,远超传统LED的0.35%/cm衰减率。特别在活体细胞成像实验中,该器件在激发波长为470nm、功率密度5W/cm2条件下,实现了对HeLa细胞核仁区域的清晰成像,对比度达到3.2:1,显著优于商业近红外光源。

该研究成果已通过中国国家自然科学基金(52272174、52002411)和广东省产学研合作项目(U22A20135)的联合资助,相关技术已与Oceano公司达成产业化合作意向。后续研究将重点优化磷光层与LED芯片的界面工程,以及开发可调谐波长的多色复合器件,为智能医疗成像设备和环境监测系统的升级提供关键技术支撑。
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