电子器件领域2025年度进展与编委团队更新综述

《IEEE Transactions on Electron Devices》：Thank You to Our Authors, Reviewers, and Editors, and a Time of Transition

本期IEEE Transactions on Electron Devices（T-ED）编辑部致谢3500余篇投稿作者及评审专家，宣布编委团队更迭。新加入的12位编辑涵盖SiC功率器件、GaN HEMT、非易失性存储器（NVM）、相变存储器（PCM）等前沿方向，其国际化学术背景将助力期刊持续推动功率半导体、微机电系统（MEMS）等电子器件技术的创新突破。

　　

随着人工智能、新能源等领域的快速发展，电子器件技术正面临前所未有的性能与能效挑战。宽禁带半导体（WBG）如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因其高击穿场强、耐高温特性，成为下一代功率电子器件的核心材料；非易失性存储器（NVM）技术则需突破存储密度与能效瓶颈以支撑边缘计算需求。然而，器件物理模型的精确构建、工艺集成可靠性、多物理场耦合效应等难题仍制约着技术产业化进程。在此背景下，IEEE Transactions on Electron Devices（T-ED）作为电子器件领域的权威期刊，通过持续优化编委团队结构、引入跨学科专家，为全球研究者搭建高水平学术交流平台。

为应对上述挑战，本期T-ED编辑部系统性更新了编委团队，新增12位来自全球顶尖机构的学者。其技术方法聚焦于：基于半导体工艺仿真与紧凑模型（Compact Modeling）的器件优化设计；通过电学表征与可靠性测试（如JEDEC标准）验证SiC/GaN功率器件性能；采用真空电子器件（VED）电磁仿真平台开发微波管；结合神经形态计算架构探索阻变存储器（RRAM）在存算一体中的应用。

编委团队的专业领域分布

新加入的编辑包括Technische Hochschule Mittelhessen的Mike Schwarz（MEMS传感器建模）、AIST的Shinsuke Harada（SiC功率器件）、UNAM的Alejandra Castro-Carranza（有机薄膜晶体管OTFTs）、DRDO的Subrata Kumar Datta（真空电子器件）、KENTECH的Jae-Hyung Jang（化合物半导体HEMTs）等。其研究方向覆盖从材料制备到电路集成的全链条技术，凸显期刊对跨学科融合的重视。

关键技术方向的学术贡献

在功率电子领域，Kung-Yen Lee（台湾大学）团队通过SPICE模型优化与工艺仿真，提升了SiC MOSFET的开关效率；Zhikai Tang（德州仪器）则主导了GaN功率IC的JEDEC标准制定。在存储技术方面，Nanbo Gong（IBM）专注于相变存储器（PCM）与AI加速器的协同设计，而Daniele Ielmini（米兰理工大学）团队在阻变存储器（RRAM）神经形态计算领域发表逾400篇论文，获ERC高级资助。

国际合作与产业转化

编委团队中多位学者具有跨国研发背景，如Valeria Vadala（米兰大学）主持IEEE MTT-S研究生奖学金项目，促进毫米波器件表征技术的全球推广；Vinayak Bharat Naik（塔塔电子）曾与美光科技合作开发28 nm节点嵌入式存储器（eNVM），体现了学术研究与产业需求的深度耦合。

本研究通过整合全球顶尖专家资源，强化了T-ED在宽禁带半导体、先进存储器等方向的学术引领作用。新编委团队带来的新颖方法论（如Giovanni Gugliandolo的微波传感器计量技术、Qi Zhou的GaN功率IC可靠性模型）将推动器件性能边界突破。值得注意的是，期刊2025年稿件接收率约30%，且首次公开表彰Golden Reviewer制度，反映出学术共同体对研究质量与评审严谨性的双重追求。这些举措为下一代电子器件技术在能源效率、计算架构等领域的创新奠定了坚实基础。