基于硅的单光子雪崩二极管技术:结构、性能与挑战

《IEEE Electron Devices Reviews》:Silicon-Based Single Photon Avalanche Diode Technologies: Structures, Performance, and Challenges

【字体: 时间:2025年12月02日 来源:IEEE Electron Devices Reviews

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  固态单光子雪崩二极管(SPADs)具有高时间分辨率、快速响应、抗磁场干扰等特性,在LiDAR、PET、光通信等领域替代传统光电倍增管(PMTs),性能提升依赖掺杂工程、光学层升级及高速电路整合。

  

摘要:

固态单光子雪崩二极管(SPAD)作为一种多功能的光电探测器,在光子计数、定时和成像等尖端技术中发挥着关键作用。其卓越的特性——高定时分辨率、快速响应、高增益、优异的量子效率以及抗磁场能力——使其成为传统光电倍增管(PMT)的有力替代品。SPAD能够检测单个光子的独特能力,加上其数字输出和紧凑的尺寸,使其成为工程、环境监测和医疗保健等领域广泛应用的首选。本文全面分析了SPAD技术,重点介绍了其设计原理、性能指标和应用领域。首先探讨了SPAD的基本工作原理和关键性能指标,然后对比了不同技术节点下的各种SPAD结构,以突出最新进展。基于我们的分析,提出了几种提升SPAD性能的技术,包括:掺杂剖面工程(如使用高压层和掺杂补偿层)、优化光学堆栈以及集成高速前端电路。接着,我们介绍了特定应用中的性能评估标准,并评估了这些标准与所讨论结构的相关性。此外,还讨论了SPAD设计中的新兴趋势,例如利用掩模层技术实现重大突破。最后,总结了研究挑战、潜在解决方案以及SPAD技术的未来发展方向,为这一动态领域的进一步创新提供了宝贵的见解。

引言

单光子雪崩二极管(SPAD)在科学和工业应用中具有重要意义,因为它们具备无与伦比的单光子检测和计数能力[1]、[2]。这些光电二极管利用半导体材料中的雪崩击穿效应和倍增效应,强电场使载流子加速至高能量,从而触发电离事件并产生更多载流子。这种雪崩过程使得SPAD具有高灵敏度和快速定时分辨率,非常适合单光子检测[3]、[4]、[6]、[7]。其出色的灵敏度使其广泛应用于多种领域,包括:飞行时间(ToF)测量[5]、[8]、[9];正电子发射断层扫描(PET)[10]、[11];光检测与测距(LiDAR)[12]、[13]、[14]、[15];生物医学成像[16]、[17]、[18];荧光寿命成像(FLIM)[19]、[20]、[21]、[22];光谱学[23]、[24]、[26]、[27];以及光无线通信(OWC)[28]、[29]、[30]、[31]、[32]、[33]、[34]、[35]、[36]。

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