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基于硅的单光子雪崩二极管技术:结构、性能与挑战
《IEEE Electron Devices Reviews》:Silicon-Based Single Photon Avalanche Diode Technologies: Structures, Performance, and Challenges
【字体: 大 中 小 】 时间:2025年12月02日 来源:IEEE Electron Devices Reviews
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固态单光子雪崩二极管(SPADs)具有高时间分辨率、快速响应、抗磁场干扰等特性,在LiDAR、PET、光通信等领域替代传统光电倍增管(PMTs),性能提升依赖掺杂工程、光学层升级及高速电路整合。
单光子雪崩二极管(SPAD)在科学和工业应用中具有重要意义,因为它们具备无与伦比的单光子检测和计数能力[1]、[2]。这些光电二极管利用半导体材料中的雪崩击穿效应和倍增效应,强电场使载流子加速至高能量,从而触发电离事件并产生更多载流子。这种雪崩过程使得SPAD具有高灵敏度和快速定时分辨率,非常适合单光子检测[3]、[4]、[6]、[7]。其出色的灵敏度使其广泛应用于多种领域,包括:飞行时间(ToF)测量[5]、[8]、[9];正电子发射断层扫描(PET)[10]、[11];光检测与测距(LiDAR)[12]、[13]、[14]、[15];生物医学成像[16]、[17]、[18];荧光寿命成像(FLIM)[19]、[20]、[21]、[22];光谱学[23]、[24]、[26]、[27];以及光无线通信(OWC)[28]、[29]、[30]、[31]、[32]、[33]、[34]、[35]、[36]。