GSNO负载的中孔二氧化硅/Ti3C2Tx纳米片复合材料作为磁场响应支架，通过协同电刺激和一氧化氮释放促进神经细胞分化

《ACS Applied Nano Materials》：GSNO-Loaded Mesoporous Silica/Ti3C2Tx Nanosheet Composites as Magnetic Field-Responsive Scaffolds for Nerve Differentiation via Synergistic Electrostimulation and Nitric Oxide Release

硝酸甘油介孔二氧化硅/Ti3C2Tx纳米片复合材料通过磁响应调控无线电刺激与NO协同释放，促进神经干细胞分化增殖，免疫荧光证实神经标志基因MAP2和Tuj上调，巢蛋白Nestin下调。

　　

一氧化氮（NO）是一种体积小、呈气态且具有高度扩散性的信号分子，在许多生理和病理过程中发挥着关键作用。然而，其临床应用面临两大挑战：高浓度NO会产生活性氮物种，从而导致细胞毒性；同时，由于其极短的半衰期（几秒到几分钟），很难控制其释放。本文制备了一种载有GSNO（一氧化氮供体）的中孔二氧化硅/Ti₃C₂T_x纳米片复合材料，该材料通过将载有GSNO的中孔SiO₂与Ti₃C₂T_x纳米片结合而成。随后，将这些纳米片复合材料引入聚乳酸（poly-l-lactide）中，制备出一种能够响应磁场的电刺激/一氧化氮联合递送支架。该系统实现了时空耦合的无线电刺激和一氧化氮释放，显著提升了受损神经的再生能力。实验结果表明，该支架在电刺激和一氧化氮递送方面表现出协同效应。在旋转磁场的作用下，电流强度与磁场速度呈正相关；同时，该支架能够实现对一氧化氮释放的精确时空控制。一氧化氮的释放机制是由旋转磁场的脉冲效应引起的，这种效应作用于GSNO中的S-NO化学键，从而显著促进了间充质干细胞的神经分化和增殖。通过PCR和免疫荧光分析发现，MAP2和Tuj的表达上调，而Nestin的表达下调。总之，这种具有电刺激和一氧化氮释放功能的支架能够进一步促进神经分化。