组分复杂双钙钛矿钴酸盐的中熵调控与电导性能研究
《International Journal of Minerals Metallurgy and Materials》:Structure and electrical conductivity of compositionally complex double perovskite cobaltites
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时间:2025年11月06日
来源:International Journal of Minerals Metallurgy and Materials 7.2
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本刊编辑推荐:为解决高熵材料在电化学应用中结构-性能关系不明确的问题,波兰格但斯克理工大学团队开展了双钙钛矿钴酸盐BaLnCo2O6-δ的组分复杂性研究。通过固相反应法合成3-8种镧系元素取代的中熵氧化物,发现所有材料均呈现P4/mmm空间群四方结构,电导率在50-1487 S/cm范围且随取代元素数量增加而下降。该研究为设计中熵离子-电子混合导体提供了新思路。
在能源材料领域,高熵材料的设计理念正掀起一场革命。传统的高熵合金通过在单一晶格位点引入五种以上元素,利用高构型熵稳定新相,获得非凡性能。当这一理念扩展到氧化物材料时,情况变得复杂起来——氧化物至少包含两个不同的结晶学位点,使得实现真正的高熵状态更具挑战性。在这一背景下,双钙钛矿钴酸盐BaLnCo2O6-δ因其独特的离子-电子混合导电特性,成为高温电化学器件的明星材料。这类材料不仅具有优异的氧离子传导能力,还能在特定条件下形成质子缺陷,更可通过纳米粒子析出增强催化活性,展现出广阔的应用前景。
然而,一个关键科学问题尚未解决:当在镧系元素位点引入多种不同元素,形成组分复杂氧化物时,材料的结构和电学性质将如何演变?这种组分复杂性是会带来性能的飞跃,还是会产生意想不到的限制?为回答这一问题,波兰格但斯克理工大学的Sebastian L Wachowski团队在《International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials》上发表了创新性研究,系统探讨了组分复杂双钙钛矿钴酸盐的熵效应与电导性能关系。
研究人员采用固相反应法合成系列BaLnCo2O6-δ材料,其中Ln位点包含3-8种不同镧系元素。通过X射线衍射分析晶体结构,碘量滴定测定氧非化学计量,并采用直流四线法测量电导率温度依赖性。熵指标分析采用Dippo和Vecchio提出的模型,综合考虑各亚晶格贡献。
所有合成材料均结晶为P4/mmm空间群的四方双钙钛矿结构。X射线衍射图谱显示,除两个样品出现微量杂相外,其余均为单相。Rietveld精修表明,晶胞参数由镧系位点的平均离子半径决定,而非构型熵控制。随着平均离子半径从1.055?增至1.107?,晶胞体积从114.082?3扩展至116.193?3。值得注意的是,多组分材料均呈现四方对称性,而单镧系类似物常出现正交畸变,表明组分复杂性可能抑制了Ln-O层中氧空位的有序化。
根据Dippo-Vecchio模型计算,即使引入八种镧系元素,这些材料的熵指标(EM)也仅为1.324-1.451(氧空位局限模型),属于中熵氧化物范畴。这是因为双钙钛矿存在多个亚晶格,尽管镧系亚晶格构型熵较高,但钡亚晶格等仍保持低熵状态,降低了整体熵值。
在干燥空气条件下,所有材料均表现出较高的总电导率(50-1487 S/cm),满足高温电化学器件电极材料要求。BaLa1/3Nd1/3Gd1/3Co2O6-δ在300°C时电导率峰值达1487 S/cm。有趣的是,电导率随取代元素数量增加而明显下降:三组分材料呈现小极化子跃迁特征,而八组分材料则表现为大极化子传输机制。钴平均氧化态测定显示,多组分材料中的Co氧化态(+2.71-+2.89)普遍低于单镧系类似物,这与观察到的电导率下降趋势一致,证实了空穴浓度对p型导电机理的主导作用。
本研究成功合成了系列组分复杂双钙钛矿钴酸盐,系统阐明了中熵调控对材料结构与性能的影响规律。研究表明,即使引入八种镧系元素,BaLnCo2O6-δ仍保持四方双钙钛矿结构,其晶格参数受平均离子半径而非构型熵控制。值得注意的是,组分复杂性会抑制氧空位有序化,促使材料稳定在四方相,同时导致氧非化学计量增加和钴氧化态降低。电学性能分析揭示,中熵材料的电导率随组分复杂性提高而下降,这一发现对设计高性能离子-电子混合导体具有重要指导意义。该工作不仅丰富了中熵氧化物的基础理论,还为开发新型电化学功能材料提供了新思路。
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