近红外发射的镧(III)/镓(III)金属冠合物与连接的香豆素：通过连接剂调节敏化剂-发射体之间的距离

《Inorganic Chemistry》：Near-Infrared-Emitting Lanthanide(III)/Gallium(III) Metallacrowns with Appended Coumarins: Tuning the Sensitizer–Emitter Distance through the Linker

合成新型桥联配体C-ip2?，使稀土离子NIR发光效率提升6.2-9.4倍，可通过1mm组织模拟 phantom 检测，为生物成像提供新方案。

　　

近红外（NIR）发射的三价镧系元素（Ln^III）在生物成像和电信等领域具有广泛应用潜力。然而，如何提高这些元素的灵敏度仍然是一个挑战，尤其是在低能量激发波长下。为了解决这一问题，研究人员合成了一种新型的基于异酞酸和香豆素的桥接配体（C-ip^2–），其中香豆素敏化剂直接连接到桥接结构上。在相应的 [Ln₂Ga₈(shi)₈(C-ip)₄]^2– 金属冠（MCs）中，通过可见光范围内的激发（λ_exc = 435 nm）使 NIR 发射的 Nd^III、Er^III 和 Yb^III 阳离子的灵敏度得到了提升。与上一代 [Ln₂Ga₈(shi)₈(C-mip)₄]^2– MCs 相比，这种新型配体中的香豆素天线更靠近 Ln^III 的发光中心，使得 Nd^III、Er^III 和 Yb^III 类物质的量子产率（$Q_{}^{}$）分别提高了 6.2 倍、9.4 倍和 2.7 倍。这使得这些元素能够在 1 毫米厚的仿生组织模型中实现检测，从而验证了该设计在 NIR 成像应用中的潜力。