通过表面功能化和应变工程调控Ti3C2/B2S2异质结构中的界面肖特基势垒

《Physical Chemistry Chemical Physics》：Interfacial Schottky barrier modulation in Ti3C2/B2S2 heterostructures by surface functionalization and strain engineering

表面功能化与应变工程调控Ti3C2/B2S2异质结界面耦合及接触类型，揭示氧/氟/羟基取代对载流子类型及隧穿概率的影响机制。

　　

金属与半导体之间的界面电阻对器件性能有着至关重要的影响。为了更深入地理解界面特性并提升器件功能，我们采用第一性原理计算方法来研究表面功能化及应变工程对Ti₃C₂/B₂S₂异质结的影响。研究结果表明，对Ti₃C₂进行功能化处理是调节界面耦合强度的有效手段。不同的表面基团（T = O、F和OH）在控制异质结的接触类型方面起着关键作用。具体而言，Ti₃C₂F₂/B₂S₂和Ti₃C₂O₂/B₂S₂异质结表现出p型肖特基接触特性，而Ti₃C₂(OH)₂/B₂S₂异质结则实现了具有极高隧穿概率的n型欧姆接触。此外，双轴应变被证明是一种能够同时调节接触类型和隧穿概率的多功能工具，为界面工程提供了新的有效方法。这些结果不仅加深了我们对Ti₃C₂/B₂S₂异质结的理解，还为通过战略性界面设计开发高性能电子设备提供了宝贵见解。