三端多功能n-MoS2/p-GaN异质结

《ACS Applied Materials & Interfaces》：Three-Terminal Multifunctional n-MoS2/p-GaN Heterojunctions

该研究提出一种基于n-MoS?/p-GaN范德华异质结的三端可重构光电探测器，通过第三端电压灵活调控输出特性，集成紫外光响应与可见光/紫外光多功能检测，支持可重构逻辑电路设计，为低功耗光电子集成提供新策略。

　　

本研究展示了一种基于单层n-二硫化钼（n-MoS?）/p-氮化镓（p-GaN）异质结的创新型三端可重构多功能光电子器件，该异质结具有范德华（vdW）能隙。所提出的第三端为输出特性的控制提供了灵活性，使得多种功能能够在单一架构中实现集成。该器件在双端偏压下可作为自供电的紫外（UV）光电探测器，并展现出覆盖可见光和紫外光的宽光谱响应。它有助于提高人工神经网络中模糊信息的识别准确性。此外，通过施加第三端电压和入射光可以调节输出光电流，从而在单个器件中实现可调谐光电探测器、光电子NAND门、NOR逻辑门以及可重构的三值和四值逻辑门。这项工作为设计结合了GaN和MoS?优势的可重构光电子器件提供了可行的策略，展示了其在人工视觉系统、低功耗集成电路和光电互连领域的潜在应用。