通过使用LiPF6进行温和的表面蚀刻制备亮红色InP量子点

《ACS Applied Optical Materials》：Bright Red InP Quantum Dots via Mild Surface Etching with LiPF6

采用六氟磷酸锂（LiPF6）温和后合成处理去除InP核表面PO_x^–缺陷，显著提升其PLQY至21%，并通过LiPF6预处理优化ZnSeS/ZnS核壳结构，使LED功率效率达1.11 lm/W，色坐标为(0.702,0.293)。

　　

具有优异光学性能的环保型磷化铟（InP）量子点（QDs）在先进显示和照明技术中需求量很大。本研究提出了一种温和的后合成处理方法，通过使用六氟磷酸锂（LiPF₆）在成核温度下去除InP核心表面的PO_x^–离子，从而提升其光学性能。该方法避免使用有毒且具有腐蚀性的氢氟酸。系统研究了LiPF₆的用量和处理时间对InP核心光学性能的影响。经LiPF₆处理后，InP核心的光致发光量子产率（PLQY）从<1%显著提升至21%，且通过XPS和FTIR分析证实了PO_x^–离子的去除效果。此外，还研究了在壳层涂层之前引入LiPF₆对具有ZnSeS/ZnS壳层的核壳量子点（core-shell QDs）性能的影响。LiPF₆的引入使发射波长发生了可控的红移（从614 nm变为620 nm），同时将PLQY从62%大幅提升至90%。采用InP(F)/ZnSeS/ZnS量子点作为颜色转换剂的发光二极管（LED）实现了最大功率效率1.11 lm W^–1，其CIE坐标为（0.702, 0.293）。本研究为优化基于InP的量子点以应用于高性能光电子器件提供了一种有效的方法。