综述:薄型LGAD和薄型硅二极管在放射治疗中的应用

《Frontiers in Sensors》:Thin LGADs and thin silicon diodes for applications in radiotherapy

【字体: 时间:2025年10月27日 来源:Frontiers in Sensors CS6.6

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  本综述系统阐述了薄型低增益雪崩二极管(LGAD)和薄型n-on-p硅二极管在放射治疗(如束流调试、监测、剂量测定及在线治疗验证)中的前沿应用。这些探测器凭借高灵敏度(可探测高达108 粒子/cm2s的单粒子)、优异时间分辨率(质子~100 ps、碳离子~30 ps)及辐射耐受性,为传统电离室(IC)提供了革新替代方案,尤其适用于超高剂量率(UHDR)、空间分割放射治疗(SFRT)等先进疗法。

  

1 引言

低增益雪崩二极管(LGAD)通过增益层实现可控电荷倍增(通常为5–50倍),结合25–60 μm的薄活性层厚度,在放射治疗领域展现出独特优势。与气体电离室相比,薄型硅基探测器具备单粒子探测能力、纳秒级信号收集时间及高空间分辨率,可应用于束流调试、微剂量测定、在线范围验证等场景。在INFN-CSN5项目框架下,研究者通过FBK研发的传感器在临床质子与碳离子束流中验证其性能,单粒子时间分辨率达30 ps(碳离子)至100 ps(质子),计数率可达108 粒子/cm2s,覆盖临床强度范围。

2 LGAD基本原理与关键技术进展

LGAD的增益层通过可控碰撞电离实现电荷倍增,薄活性层设计不仅提升时间分辨率,还增强辐射耐受性(可承受>1015 neq/cm2注量)。新型结构如交流耦合LGAD(AC-LGAD)和沟槽隔离LGAD(TI-LGAD)进一步优化空间分辨率与填充因子:AC-LGAD通过电容式读out实现100%填充因子,适用于质子成像等精密空间测量;TI-LGAD利用沟槽隔离减少像素间串扰,更适合高计数率临床监测。

3 基于时间飞行的束流能量探测器

采用11条带状LGAD(单条面积2.2 mm2)构建的飞行时间探测器,通过相对校准与自校准方法,在30–95 cm基线下实现质子束流能量测量(60–230 MeV),精度达±500 keV(对应水等效范围误差<0.5 mm)。系统在毫秒级采集时间内完成能量标定,且对束流扰动极小,为在线质量保证提供高效工具。

4 束流注量与位置监测粒子计数器

2.7 × 2.7 cm2的146条带状LGAD传感器与多通道读out芯片ABACUS集成,实现临床质子/碳离子束的单粒子计数与束流剖面测量。测试表明,计数效率在143 MHz下保持100%,死时间<7 ns,束流剖面半高宽(FWHM)为0.8–2.2 cm(与放射性胶片结果一致)。同步开发的薄型n-on-p硅二极管(无增益层)在碳离子束中实现<30 ps时间分辨率,适用于未来紧凑型离子机架。

5 初级粒子到达时间测量与应用

结合ABACUS与CERN开发的PicoTDC(时间数字转换器),系统可解析束流时间结构(如同步加速器362 ns周期),并支持即时伽马定时(PGT)技术。PGT通过测量初级粒子与组织相互作用产生的瞬发伽马时间差,反推粒子在体模中的射程,初步实验显示射程验证精度达2%,为在线范围验证提供新途径。

6 UHDR与SFRT中的束流监测与剂量学

在超高剂量率(UHDR)场景下,薄硅传感器(30–45 μm)对电子束(10 Gy/脉冲)响应线性良好,且146条带状二极管成功测量7条微型束流(1 mm宽,间距3 mm),满足空间分割放射治疗(SFRT)的毫米级空间分辨率需求。

7 讨论与结论

薄型LGAD与硅二极管通过高灵敏度、快时间响应与辐射耐受性,为放射治疗束流监测提供多维度解决方案。未来挑战在于扩展敏感面积至30 × 30 cm2以覆盖扫描野,并与微模式气体探测器等技术互补,推动质子/离子成像、个体化治疗等应用发展。
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