由于K+离子振动导致的晶格热导率降低，使得K4ZnAs2材料具有优异的热电性能

《Journal of Materials Chemistry C》：Suppressed lattice thermal conductivity due to K+ ion vibration results in high thermoelectric performance in K4ZnAs2

热电性能研究显示，K4ZnAs2晶格热导率在300K时沿x(y)和z方向分别为0.282和0.138 W·m?1·K?1，其低值源于K离子振动引发的高非谐性及声子散射率，同时材料兼具适中的Seebeck系数和电导率，适合热电应用。

　　

通过运用密度泛函理论和玻尔兹曼输运方程，我们研究了K₄ZnAs₂的电子结构及其热电输运特性。在300 K时，K₄ZnAs₂沿x(y)方向和z方向的晶格热导率（κ_l）分别为0.282 W m^-1K^-1和0.138 W m^-1K^-1，属于较低水平。K原子的振动行为导致K₄ZnAs₂中存在显著的非谐性，从而引发了较高的声子散射率。由于热载流子（声子）的群速度较低且散射率较高，晶格热导率受到抑制。我们的研究表明，无论是p型还是n型的K₄ZnAs₂，其晶格热导率的降低，加上较高的塞贝克系数和电导率，使其成为一种适用于热电应用的理想材料。