通过V掺杂调节NiFe层状双氢氧化物的带隙:一项第一性原理研究

《Surface and Coatings Technology》:Tuning bandgaps of NiFe layered double hydroxides through V doping: A first-principles study

【字体: 时间:2025年10月02日 来源:Surface and Coatings Technology 5.4

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  NiFe和NiFeV层状双氢氧化物(LDHs)的离子有序性、磁态及掺杂浓度通过第一性原理计算证实可调控能带宽度,Fe氧化态变化是关键机制,最优结构Ni12Fe9V3实现0.08 eV超窄能带,为光电器件和氧析出反应催化剂设计提供理论依据。

  
黄胜杰|高超成
台湾台北中央研究院应用科学研究中心,11529

摘要

通过第一性原理计算,我们研究了阳离子排列、磁态和掺杂浓度对NiFe和NiFeV层状双氢氧化物(LDHs)带隙的影响。研究结果表明,这些因素会改变带隙:当Ni:Fe比例为3:1时,带隙为1.73 eV;当比例为5:3时,带隙缩小至0.75 eV;当比例为6:1:1时,带隙进一步缩小至0.71 eV;而在特定结构条件下,带隙可降至0.08 eV(Ni:Fe:V = 2:1:1)。这种带隙调控机制源于Fe离子氧化态的变化。我们的研究结果揭示了获得最低带隙的NiFeV LDHs的最佳配置,为设计高效的光电设备和氧化还原(OER)催化剂提供了理论依据。

引言

基于NiFe的层状双氢氧化物(LDHs)近年来已成为光电和催化应用的多功能平台,通过带隙工程和异质结构设计,能够实现光电流增强[1]、可见光驱动的氢气生成[2,3]以及氧气生成反应(OER)[4,5,6,7,8,9,10,11]。然而,其较低的电子导电性限制了它们的光电和催化性能[9]。为改善这一问题,人们探索了多种策略,包括将其剥离成超薄纳米片[12,13,14,15,16]、与导电基底集成[17]、表面金属修饰[18,19]、层间阴离子交换[20,21]、缺陷工程[14,22,23,24,25]以及金属掺杂[9,10,11,26,27,28,29,30]。金属掺杂是提升LDHs光电和OER性能的有效方法,尤其是通过引入价态可变的过渡金属(如V[9]、Mn[27]或Co[30])。这些掺杂剂可以调节Fe的局部化学环境,而Fe是NiFe LDHs中光电和催化活性的关键组分[31,32,33],同时不会破坏LDH的整体结构。值得注意的是,钒具有多种可实现的氧化态,并且与Fe之间存在强烈的电子相互作用,因此在提高LDHs的导电性和内在催化活性方面具有巨大潜力。据我们所知,目前尚未系统研究过NiFeV LDHs中阳离子排列、掺杂比例、磁性和电子结构之间的关联。
在本研究中,我们采用密度泛函理论结合原位库仑相互作用(DFT + U)计算方法,探讨了成分和钒掺杂对NiFe LDHs结构和电子性质的影响。通过系统改变掺杂浓度和阳离子配置,我们分析了磁态、Fe离子氧化态及带隙的变化。研究结果揭示了具有最低带隙的NiFeV LDHs的最佳配置,为设计高效的光电设备和OER催化剂提供了指导。

计算方法

所有DFT + U计算均使用维也纳从头算模拟包(Vienna Ab initio Simulation Package [36])进行,采用投影增强波方法(projector augmented wave method [37])和Perdew-Burke-Ernzerhof形式的广义梯度近似(generalized-gradient approximation)。原位库仑相互作用被纳入考虑,以反映局域d电子之间的强关联,其中Ni、Fe和V的库仑相互作用分别为3.8、4.3和3.4 eV[9]。结构弛豫采用4 × 8 × 2 Monkhorst-Pack k点网格。

结果与讨论

LDHs是一类由带正电的金属氢氧化物层、插层阴离子和水分子组成的层状材料,这些阴离子和水分子用于平衡多余的正电荷[38]。LDHs的一般化学式为M1?x2+Mx3+OH2An?·mH2O,其中M2+M3+分别代表二价和三价阳离子(例如Mg2+、Ni2+、Fe2+/Al3+、Fe3+),An?是用于平衡电荷的层间阴离子(如CO32?或OH?)。从结构上看,金属阳离子占据八面体位点。

结论

我们研究了阳离子排列、自旋取向和氧化态分布对NiFeV LDHs稳定性和电子性质的影响。Fe-Fe之间的排斥作用决定了局部排列方式,而V掺杂剂在靠近Fe的位置时更为稳定,这突显了阳离子替代过程中的位点选择性。自旋取向显著影响带隙:平行排列的Fe-V自旋会缩小带隙并增强电子局域化,但通常能量比反平行状态更高。值得注意的是Ni12Fe9V3的结构特性。

CRediT作者贡献声明

黄胜杰:撰写 – 审稿与编辑、撰写 – 初稿撰写、数据可视化、结果验证、数据分析、概念构建。高超成:撰写 – 审稿与编辑、结果验证、项目监督、资金申请、数据分析、概念构建。

利益冲突声明

作者声明没有已知的财务利益或个人关系可能影响本文的研究结果。

致谢

本研究得到了台湾教育部高等教育萌芽计划(Higher Education Sprout Project)下的先进半导体技术研究中心(ASTP-113-M02)和台湾国家科学技术委员会(NSTC 114-2112-M-001-059/114-2811-M-001-144)的财政支持。此外,国家高性能计算中心也提供了计算和存储资源支持。
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