二维切克劳斯基法制备高质量单晶 MoS2：开启下一代集成电路新篇

为解决二维（2D）过渡金属二硫属化物批量生产问题，研究人员开展 2D 空间液固结晶研究，快速生长出无晶界的厘米级单晶 MoS2，器件良品率高、迁移率变化小，该方法对制备高质量可扩展 2D 半导体材料及器件意义重大。

　　批量生产单晶二维（2D）过渡金属二硫属化物是制造下一代集成电路的先决条件之一。目前实现二维材料晶圆级高质量结晶的策略，主要是合并单向排列、尺寸各异的区域。然而，晶格平移导致的合并不完善区域，会产生高缺陷密度和低器件均匀性，限制了二维材料的应用。

研究人员建立了一种二维空间的液 - 固结晶方法，能够快速生长出无晶界的厘米级单晶 MoS₂区域。得到的大尺寸 MoS₂单晶具有超高均匀性和高质量，缺陷密度极低。对由该 MoS₂制成的场效应晶体管（FET）进行统计分析，结果显示器件良品率高，迁移率变化极小，这使得该 FET 成为先进标准的单层 MoS₂器件。这种二维切克劳斯基法，为制造高质量、可扩展的二维半导体材料和器件带来了新的思路。