《Proceedings of the National Academy of Sciences》:Cotranslational membrane insertion of the voltage-sensitive K+ channel KvAP
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为探究电压敏感离子通道中带电荷的 S4 螺旋如何在核糖体释放后整合进入脂质双分子层,研究人员开展了 KvAP 电压敏感离子通道共翻译插入大肠杆菌内膜的研究。结果发现其插入分三步,明确了多因素影响。该研究有助于理解同类通道及膜蛋白生物合成原理。
膜蛋白的折叠依赖于其正确插入细胞膜。一些蛋白,比如电压敏感通道(voltage-sensitive channels),其跨膜结构域需要带有带电残基才能发挥功能。因此,在过去几十年里,电压敏感通道的生物发生一直是众多研究的焦点。本研究使人们能以前所未有的高分辨率,更好地理解电压敏感 K+通道 KvAP(KvAP voltage-sensitive K+ channel)的膜插入过程。研究发现,相邻螺旋的共插入起着重要作用,尤其是在需要容纳带电残基的情况下。研究结果对其他结构相似的电压敏感通道具有重要意义,也阐明了膜蛋白生物合成的一些通用原则。电压传感器结构域(Voltage-sensor domains,VSDs)存在于许多电压敏感离子通道和酶中,由四个跨膜螺旋(transmembrane helices,TMHs)组成,其中包括非典型且带大量正电荷的 S4 螺旋。VSDs 是在翻译过程中共翻译插入细胞膜的,这就引发了一个问题:高度带电的 S4 螺旋在离开核糖体时是如何整合进入脂质双分子层的。在本研究中,研究人员使用力谱分析(force profile analysis,FPA)技术,追踪了含有六个 TMH 的 KvAP 电压敏感离子通道(KvAP voltage-sensitive ion channel)共翻译插入大肠杆菌(Escherichia coli)内膜的过程。研究发现,插入过程分为三个半独立的步骤:i)S1-S2 螺旋发夹结构的插入;ii)S3-S5 螺旋的插入;iii)孔道(Pore)和 S6 螺旋的插入。研究分析强调了螺旋发夹结构协同插入的重要性、S4 中带正电残基的显著影响,以及两亲性螺旋和折返螺旋对下游 TMHs 产生的出乎意料的强大作用力和影响。