单壁碳纳米管（SWNTs）在六方氮化硼（hBN）基底上的紧密堆积阵列直接生长及其优异性能研究

为用于集成电路，研究人员开展 SWNTs 阵列生长研究，实现高取向和手性均匀，器件性能优异。

　　在集成电路中，单壁碳纳米管（SWNTs）若要得到应用，拥有高密度、排列整齐且完全为半导体性质的 SWNTs 阵列至关重要。在这项研究中，研究人员报道了在六方氮化硼（hBN）基底上直接生长紧密堆积的 SWNTs 阵列的成果，该阵列具有高度取向性，且每个阵列内的手性均匀。分子动力学模拟表明，SWNTs 管间的范德华引力以及其在原子级平整的 hBN 基底上的超低滑动摩擦力，使得自组装生长机制得以实现。利用所生长的 SWNTs 阵列构建的场效应晶体管在室温下展现出高性能，迁移率高达 2000 平方厘米每伏每秒，开 / 关比约为 10⁷，最大电流密度约为 6 毫安每微米。